loading...
IXFN32N120P Modul
Specifikace | IXFN32N120P Modul |
Modelka | IXFN32N120P |
Továrník | IXYS |
Typ Modulu | MOSFET transistor |
Polovodičové Struktury | single transistor |
Drain-source Napětí | 1.2kV |
Vypouštěcí Proud | 32A |
Případ | SOT227B |
Mounting | screw |
Elektrická Montáž | screw |
Polarizace | unipolar |
Odolnost V Zapnutém Stavu | 310mΩ |
Pulzní Odtokový Proud | 100A |
Ztráta Výkonu | 1000W |
Technika | HiPerFET™, Polar™ |
Druh Kanálu | enhanced |
Gate charge | 360nC |
Reverzní Doba Zotavení | 300ns |
Hradlo-zdrojové Napětí | ±40V |
Jiné Jméno | IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
V následujících případech provedeme zdarma výměnu nebo plné vrácení peněz:
Výrobek nelze použít v záruční době kvůli problémům s kvalitou výrobku
Výrobek je poškozen při přepravě
Výrobek nebyl doručen včas z naší viny
Postup zdarma výměny nebo plného vrácení peněz:
Kupující zašle e-mail našemu zákaznickému servisu s popisem problému a poskytne důkazy (jasné fotografie, snímky obrazovky nebo video)
Problematiku zkontrolujeme do 1 pracovního dne. V případě splnění podmínek provedeme zdarma výměnu nebo plné vrácení peněz do 1-2 pracovních dnů
Pokud je požadována vrácení zboží, náklady na přepravu budou hrazeny námi
IXFN32N120P Modul
Gross Weight | 1 |
---|