loading...
IXYS IXFN80N50
| Arkusz danych | IXYS IXFN80N50 |
| Model | IXFN80N50 |
| Producent | IXYS |
| Rodzaj Modułu | MOSFET transistor |
| Struktura Półprzewodnikowa | single transistor |
| Napięcie Dren-źródło | 500V |
| Prąd Spustowy | 80A |
| Obudowa | SOT227B |
| Montowanie | screw |
| Montaż Elektryczny | screw |
| Polarisation | unipolar |
| On-state resistance | 55mΩ |
| Pulsacyjny Prąd Drenu | 320A |
| Rozpraszanie Mocy | 694W |
| Technologia | HiPerFET™ |
| Rodzaj Kanału | enhanced |
| Gate charge | 380nC |
| Odwrotny Czas Odzyskiwania | 250ns |
| Napięcie Bramka-źródło | ±40V |
| Inna Nazwa | IXFN8ON5O |
W następujących przypadkach dokonamy darmowej wymiany lub pełnego zwrotu:
Produkt nie może być używany w okresie gwarancyjnym z powodu problemów z jakością produktu
Produkt uległ uszkodzeniu w transporcie
Produkt nie został dostarczony na czas z powodu naszej winy
Proces darmowej wymiany lub pełnego zwrotu:
Kupujący wysyłają e-mail do naszej obsługi klienta, opisując problem i dostarczając dowody (jasne zdjęcia, zrzuty ekranu lub wideo)
Sprawdzimy problem w ciągu 1 dnia roboczego. W przypadku kwalifikujących się przypadków, zapewniamy darmową wymianę lub pełny zwrot w ciągu 1-2 dni roboczych
Jeśli wymagany jest zwrot, koszt zwrotu zostanie przez nas pokryty.
IXYS IXFN80N50
| Gross Weight | 1 |
|---|
