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IXFN32N120P Modulo
| Scheda dati | IXFN32N120P Modulo |
| Modello | IXFN32N120P |
| Produttore | IXYS |
| Tipo Di Modulo | MOSFET transistor |
| Struttura A Semiconduttore | single transistor |
| Tensione Drain-source | 1.2kV |
| Corrente Di Drenaggio | 32A |
| Corpo | SOT227B |
| Montaggio | screw |
| Montaggio Elettrico | screw |
| Polarizzazione | unipolar |
| Resistenza Nello Stato Di Conduzione | 310mΩ |
| Corrente Di Drain Pulsata | 100A |
| Dissipazione Di Potenza | 1000W |
| Tecnologia | HiPerFET™, Polar™ |
| Genere Di Canale | enhanced |
| Carica Del Cancello | 360nC |
| Tempo Di Recupero Inverso | 300ns |
| Tensione Gate-source | ±40V |
| Altro Nome | IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
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IXFN32N120P Modulo
| Gross Weight | 1 |
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