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IXFN32N120P モジュール
| データシート | IXFN32N120P モジュール |
| モデル | IXFN32N120P |
| メーカー | IXYS |
| モジュールのタイプ | MOSFET transistor |
| 半導体構造 | single transistor |
| ドレイン-ソース間電圧 | 1.2kV |
| ドレイン電流 | 32A |
| ケース | SOT227B |
| インストール | screw |
| 電気的実装 | screw |
| 極性 | unipolar |
| オン状態抵抗 | 310mΩ |
| パルスドレイン電流 | 100A |
| 電力損失 | 1000W |
| テクノロジー | HiPerFET™, Polar™ |
| のチャンネル | enhanced |
| ゲートチャージ | 360nC |
| 逆回復時間 | 300ns |
| ゲート-ソース間電圧 | ±40V |
| IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
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IXFN32N120P モジュール
| Gross Weight | 1 |
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