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IXFN32N120P モジュール
データシート | IXFN32N120P モジュール |
モデル | IXFN32N120P |
メーカー | IXYS |
モジュールのタイプ | MOSFET transistor |
半導体構造 | single transistor |
ドレイン-ソース間電圧 | 1.2kV |
ドレイン電流 | 32A |
ケース | SOT227B |
インストール | screw |
電気的実装 | screw |
極性 | unipolar |
オン状態抵抗 | 310mΩ |
パルスドレイン電流 | 100A |
電力損失 | 1000W |
テクノロジー | HiPerFET™, Polar™ |
のチャンネル | enhanced |
ゲートチャージ | 360nC |
逆回復時間 | 300ns |
ゲート-ソース間電圧 | ±40V |
IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
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IXFN32N120P モジュール
Gross Weight | 1 |
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