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IXFN32N120P 기준 치수
| 데이터 시트 | IXFN32N120P 기준 치수 |
| 모델 | IXFN32N120P |
| 제조업체 | IXYS |
| 모듈 유형 | MOSFET transistor |
| 반도체 구조 | single transistor |
| 드레인 소스 전압 | 1.2kV |
| 드레인 전류 | 32A |
| 사례 | SOT227B |
| 설치 | screw |
| 전기 장착 | screw |
| 양극화 | unipolar |
| 온 상태 저항 | 310mΩ |
| 펄스 드레인 전류 | 100A |
| 전력 소모 | 1000W |
| 기술 | HiPerFET™, Polar™ |
| 채널 유형 Some Kind Of Channel 某种渠道 208 | enhanced |
| 게이트 차지 | 360nC |
| 역 회복 시간 | 300ns |
| 게이트 소스 전압 | ±40V |
| 다른 이름 | IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
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IXFN32N120P 기준 치수
| Gross Weight | 1 |
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