loading...
IXFN32N120P Module
| Data Sheet | IXFN32N120P Module |
| Model | IXFN32N120P |
| Manufacturer | IXYS |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 32A |
| Case | SOT227B |
| Mounting | screw |
| Electrical mounting | screw |
| Polarisation | unipolar |
| On-state resistance | 310mΩ |
| Pulsed drain current | 100A |
| Power dissipation | 1000W |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Kind of channel | enhanced |
| Gate charge | 360nC |
| Reverse recovery time | 300ns |
| Gate-source voltage | ±40V |
| Other Name | IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
В следующих случаях мы сделаем бесплатную замену или полный возврат средств:
Продукт нельзя использовать в гарантийный период из-за проблем качества продукта
Продукт поврежден во время транспортировки
Продукт не был доставлен вовремя по нашей вине
Процесс бесплатной замены или полного возврата средств:
Покупатели отправляют электронное письмо нашей службе поддержки, чтобы описать проблему и предоставить доказательства (четкие фотографии, скриншоты или видео)
Мы проверим проблему в течение 1 рабочего дня. Для подходящих случаев мы предоставим бесплатную замену или полный возврат средств в течение 1-2 рабочих дней
Если требуется возврат, мы оплатим стоимость обратной пересылки
IXFN32N120P Module
| Gross Weight | 1 |
|---|
