loading...
IXFN32N120P Module
| Data Sheet | IXFN32N120P Module |
| Model | IXFN32N120P |
| Manufacturer | IXYS |
| Type of module | MOSFET transistor |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 32A |
| Case | SOT227B |
| Mounting | screw |
| Electrical mounting | screw |
| Polarisation | unipolar |
| On-state resistance | 310mΩ |
| Pulsed drain current | 100A |
| Power dissipation | 1000W |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Kind of channel | enhanced |
| Gate charge | 360nC |
| Reverse recovery time | 300ns |
| Gate-source voltage | ±40V |
| Other Name | IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
ในกรณีต่อไปนี้เราจะทำการเปลี่ยนสินค้าหรือคืนเงินเต็มจำนวนฟรี:
สินค้าไม่สามารถใช้งานได้ในระยะเวลารับประกันเนื่องจากปัญหาคุณภาพของสินค้า
สินค้าเสียหายขณะขนส่ง
สินค้าไม่ถึงเวลาที่กำหนดเนื่องจากเหตุผลที่เกิดจากเรา
กระบวนการของการเปลี่ยนสินค้าหรือคืนเงินเต็มจำนวนฟรี:
ผู้ซื้อส่งอีเมลถึงฝ่ายบริการลูกค้าของเราเพื่ออธิบายปัญหาและให้หลักฐาน (ภาพถ่ายชัดเจนหรือภาพหน้าจอหรือวิดีโอ)
เราจะตรวจสอบปัญหาใน 1 วันทำการ สำหรับกรณีที่มีสิทธิ์รับเปลี่ยนสินค้าหรือคืนเงินเต็มจำนวนฟรี เราจะให้การเปลี่ยนสินค้าหรือคืนเงินเต็มจำนวนในเวลา 1-2 วันทำการ
หากต้องการคืนสินค้า ค่าส่งคืนจะถูกชำระโดยเรา
IXFN32N120P Module
| Gross Weight | 1 |
|---|
