loading...
IXFN32N120P Modul
| Specifikace | IXFN32N120P Modul |
| Modelka | IXFN32N120P |
| Továrník | IXYS |
| Typ Modulu | MOSFET transistor |
| Polovodičové Struktury | single transistor |
| Drain-source Napětí | 1.2kV |
| Vypouštěcí Proud | 32A |
| Případ | SOT227B |
| Mounting | screw |
| Elektrická Montáž | screw |
| Polarizace | unipolar |
| Odolnost V Zapnutém Stavu | 310mΩ |
| Pulzní Odtokový Proud | 100A |
| Ztráta Výkonu | 1000W |
| Technika | HiPerFET™, Polar™ |
| Druh Kanálu | enhanced |
| Gate charge | 360nC |
| Reverzní Doba Zotavení | 300ns |
| Hradlo-zdrojové Napětí | ±40V |
| Jiné Jméno | IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
V následujících případech provedeme zdarma výměnu nebo plné vrácení peněz:
Výrobek nelze použít v záruční době kvůli problémům s kvalitou výrobku
Výrobek je poškozen při přepravě
Výrobek nebyl doručen včas z naší viny
Postup zdarma výměny nebo plného vrácení peněz:
Kupující zašle e-mail našemu zákaznickému servisu s popisem problému a poskytne důkazy (jasné fotografie, snímky obrazovky nebo video)
Problematiku zkontrolujeme do 1 pracovního dne. V případě splnění podmínek provedeme zdarma výměnu nebo plné vrácení peněz do 1-2 pracovních dnů
Pokud je požadována vrácení zboží, náklady na přepravu budou hrazeny námi
IXFN32N120P Modul
| Gross Weight | 1 |
|---|
