loading...
IXFN32N120P Módulo
| Ficha de datos | IXFN32N120P Módulo |
| Modelo | IXFN32N120P |
| Fabricante | IXYS |
| Tipo De Módulo | MOSFET transistor |
| Estructura Semiconductora | single transistor |
| Voltaje De La Fuente De Drenaje | 1.2kV |
| Corriente De Drenaje | 32A |
| Carcasa | SOT227B |
| Montaje | screw |
| Montaje Electrico | screw |
| Polarización | unipolar |
| Resistencia En Estado De Transferencia | 310mΩ |
| Corriente De Drenaje Pulsada | 100A |
| Disipación De Potencia | 1000W |
| Tecnología | HiPerFET™, Polar™ |
| Clase De Canal | enhanced |
| Carga De Puerta | 360nC |
| Tiempo De Recuperación Inverso | 300ns |
| Voltaje De Fuente De Puerta | ±40V |
| Otro Nombre | IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
Vamos a ofrecer un reemplazo gratuito o un reembolso completo con las siguientes situaciones
El producto no se puede utilizar durante el período de garantía debido a problemas de calidad del producto.
El producto se dañó durante el transporte.
El producto no se entregó a tiempo debido a nuestra razón.
El proceso de reemplazo gratuito o reembolso completo
El comprador manda correo electronico a nuestro servicio al cliente para describir el problema y ofrece prueba documentos(foto clara, captura de pantalla o video)
Revisaremos problema en 1-3 dias laborables. ofreceremos reemplazo gratuito o reembolso completo en 1-2 dias laborables para la situacion que cumple los requisitos
Si se requiere una devolución, nosotros pagaremos la tarifa de envío de devolución
IXFN32N120P Módulo
| Gross Weight | 1 |
|---|
