loading...
IXFN32N120P Modul
| Datenblatt | IXFN32N120P Modul |
| Modell | IXFN32N120P |
| Hersteller | IXYS |
| Modul-Typ | MOSFET transistor |
| Halbleiterstruktur | single transistor |
| Drain-source-spannung | 1.2kV |
| Drainstrom | 32A |
| Gehäuse | SOT227B |
| Montage | screw |
| Elektrische Montage | screw |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand Im Leitungszustand | 310mΩ |
| Gepulster Drainstrom | 100A |
| Verlustleistung | 1000W |
| Technologie | HiPerFET™, Polar™ |
| Art Von Kanal | enhanced |
| Gate-Ladung | 360nC |
| Reverse Recovery-zeit | 300ns |
| Gate-source-spannung | ±40V |
| Andere | IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
Für die folgenden Umstände werden wir kostenlos Ersatz oder volle Rückerstattung arrangieren
Innerhalb von der Garantie aufgrund von Problemen mit der Produktqualität führt es dazu, dass das Produkt nicht verwendet werden kann
Die Ware wird während des Transports beschädigt
Das Produkt wurde aufgrund unseres Verschuldens nicht rechtzeitig geliefert.
Ablauf für kostenlosen Ersatz oder vollständige Rückerstattung
Der Käufer sendet unserem Kundenservice eine E-Mail, um das Problem zu beschreiben und unterstützende Dokumente bereitzustellen (klares Foto, Screenshot oder Video)
Wir überprüfen das Problem innerhalb von 1-3 Werktagen. Wenn der Antrag gerechtet ist, wird innerhalb von 1-2 Tagen kostenloser Ersatz oder Rückerstattung arrangiert
Wenn eine Rücksendung erforderlich ist, wird die Rücksendegebühr von uns bezahlt
IXFN32N120P Modul
| Gross Weight | 1 |
|---|
