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IXFN32N120P Module
| Fiche technique | IXFN32N120P Module |
| Modèle | IXFN32N120P |
| Fabricant | IXYS |
| Type De Module | MOSFET transistor |
| Structure Semi-conductrice | single transistor |
| Tension Drain-source | 1.2kV |
| Courant De Vidange | 32A |
| Boîtier | SOT227B |
| Montage | screw |
| Montage électrique | screw |
| Polarisation | unipolar |
| Résistance à L'état Passant | 310mΩ |
| Courant De Drain Pulsé | 100A |
| Dissipation De Puissance | 1000W |
| La Technologie | HiPerFET™, Polar™ |
| Genre De Canal | enhanced |
| Charge D'entrée | 360nC |
| Temps De Récupération Inversé | 300ns |
| Tension Grille-source | ±40V |
| Autre Nom | IXFN32NL20P IXFN32N12OP |
Le remplacement gratuit ou le remboursement complet sera possible dans les circonstances suivantes
Le produit ne peut pas être utilisé normalement à cause de problèmes de qualité dans la période de garantie
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Si un retour est requis, les frais de retour seront payés par nous
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IXFN32N120P Module
| Gross Weight | 1 |
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